WHDG36001G Dual Ports DIP Gigabit Base-T PIN36 non-PoE Lan Transformer
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LANトランスは、電気絶縁、インピーダンス変換、信号伝送、コモンモードノイズ抑制を中核とする受動磁気部品である。それ自体は電圧モードと電流モードを区別しません。その動作は、接続されている PHY チップと周囲の回路に完全に依存します。
TX 側では、CT は標準のボブ スミス回路 (1000pF コンデンサと並列の 75Ω 抵抗器、その後保護接地) と連携してコモンモード干渉を抑制します。 RX 側では、CT を PHY データシートに従って厳密に構成する必要があります。CT は電源に接続することも、コンデンサを介して接地することも、直接接地することもできますが、決してフローティングのままにしてはいけません。ギガビット アプリケーションでは、TX CT と RX CT の両方を同時に直接接地することは避けてください。そうしないと、EMI が簡単に制限を超え、絶縁が失敗する可能性があります。
10G LAN トランスは、100M/1000M での 100m 伝送要件を満たすことができません。これは、さまざまなレートの LAN トランスのインダクタンス設計と、それぞれの伝送シナリオのニーズとの間に根本的な不一致があるためです。
10G LAN トランスは、高周波信号の完全性を維持することを目的として、高周波伝送をターゲットとしています。高周波での銅損を低減し、S-パラメータ（挿入損失やリターンロスなど）を最適化するために、実際のインダクタンスは通常わずか約100-プラスμHの「低インダクタンス設計」を採用しています。ただし、100M/1000M での 100m 伝送には明確な最小インダクタンス要件があり、業界標準では 350μH 以上が求められています。十分なインダクタンスのみが長距離にわたる信号の減衰を抑制し、干渉耐性を確保し、安定した伝送を保証できます。
10G LAN トランスのインダクタンス (~100-プラス μH) が、100M/1000M で 100m の伝送に必要な最小値 350μH をはるかに下回っているため、信号は過剰な減衰を受け、インダクタンスが不十分なために干渉耐性が低下し、最終的にテストが不合格 (NG) になります。
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