WHPBU-131308N-R21L0 初期インダクタンス:210nH 許容差:15 (±%) DCR0.32 ± 9.4%mΩ 加熱電流 (Amp) (typ)45 複合インダクタ
WHPBU-131308N-R21L0 Initial Inductance:210nH Tolerance: 15 (±%) DCR0.32 ± 9.4%mΩ Heating Current (Amps) (typ)45 Combined Inductor
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複合インダクタは、複数のインダクタ ユニットを 1 つのパッケージに統合したデバイスで、通常は多相電力供給または結合アプリケーション向けに設計された統合構造として機能します。複数のディスクリートインダクタと比較して、PCB 面積を節約し、レイアウトを簡素化し、ユニット全体でパラメータの一貫性を確保します。
これらは主に、多相 DC-DC 電源 (CPU/GPU 用の多相 VRM など) や、サーバーやスイッチのマザーボードの電力供給などの大電流アプリケーション、および高度に整合したインダクタ パラメータを必要とするフィルタや結合回路で使用されます。
カップルド・インダクタはスペースを節約するだけでなく、相間の磁気結合を使用して、過渡応答を犠牲にすることなく各相のリップル電流を低減します。定常状態ではより高いインダクタンスを効果的に提供し、過渡状態ではより低いインダクタンスを提供します。これにより、効率が向上し、出力コンデンサの数が減り、負荷ステップ時の電圧低下性能が向上します。
通常のインダクタンス、Isat、Irms、および DCR に加えて、ユニット間のインダクタンスの一貫性と DCR マッチング (相間の電流共有に影響する)、相間の結合係数と漏れインダクタンス (リップルのキャンセルに影響する)、ユニット間のクロストークと絶縁、および大電流時のパッケージの全体的な放熱パスにも注意を払います。これらを、メイン コントローラー (PWM コントローラー) ベンダーが推奨する多相設計パラメーターと一致させることをお勧めします。
